Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications

edited by Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon

Dordrecht: Springer Netherlands, Imprint: Springer, 2016

Online Sammelwerk, Elektronische Ressource - 1 Online-Ressource (XVIII, 347 p. 254 illus., 150 illus. in color)

Zugriff:

Springer Physics & Astronomy 2016 (Volltext)

Titel:	Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications
Verantwortlichkeitsangabe:	edited by Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon
Autor/in / Beteiligte Person:	Park, Byung-Eun ; Ishiwara, Hiroshi ; Okuyama, Masanori ; Sakai, Shigeki ; Yoon, Sung-Min
Lokaler Link:	Springer Physics & Astronomy 2016 (Volltext)
Link:	Volltext
Verwandtes Werk:	Topics in Applied Physics
Veröffentlichung:	Dordrecht: Springer Netherlands, Imprint: Springer, 2016
Medientyp:	Sammelwerk
Datenträgertyp:	Elektronische Ressource
Umfang:	1 Online-Ressource (XVIII, 347 p. 254 illus., 150 illus. in color)
ISBN:	9789402408416
DOI:	10.1007/978-94-024-0841-6
Schlagwort:	Physics Surfaces (Physics) Interfaces (Physical sciences) Thin films Electronic circuits Electronics Microelectronics Materials / Surfaces Feldeffekttransistor Ferroelektrischer Transistor Ferroelektrikum Dünne Schicht
Sonstiges:	Online-Ressource [Kann nicht per Fernleihe bestellt werden!] Gesamttitelangabe: Topics in Applied Physics ; 131 Erscheint auch als: Druck-Ausgabe, ISBN 9789402408393 hbz Verbund-ID: HT019109335

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