Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications

edited by Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon

2nd ed. 2020. - Singapore: Springer Singapore, Imprint: Springer, 2020

Online Sammelwerk, Elektronische Ressource - 1 Online-Ressource (XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color)

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Springer Physics & Astronomy 2020 (Volltext)

Titel:	Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications
Verantwortlichkeitsangabe:	edited by Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon
Autor/in / Beteiligte Person:	Park, Byung-Eun ; Ishiwara, Hiroshi ; Okuyama, Masanori ; Sakai, Shigeki ; Yoon, Sung-Min
Lokaler Link:	Springer Physics & Astronomy 2020 (Volltext)
Link:	Volltext
Verwandtes Werk:	Topics in Applied Physics
Ausgabe:	2nd ed. 2020
Veröffentlichung:	Singapore: Springer Singapore, Imprint: Springer, 2020
Medientyp:	Sammelwerk
Datenträgertyp:	Elektronische Ressource
Umfang:	1 Online-Ressource (XIV, 425 p. 313 illus., 183 illus. in color)
ISBN:	9789811512124
DOI:	10.1007/978-981-15-1212-4
Schlagwort:	Electronic circuits Electronics Microelectronics Materials—Surfaces Thin films Surfaces (Physics) Interfaces (Physical sciences)
Sonstiges:	Online-Ressource [Kann nicht per Fernleihe bestellt werden!] Gesamttitelangabe: Topics in Applied Physics ; 131 Printed edition: 9789811512117 Printed edition: 9789811512131 Printed edition: 9789811512148 hbz Verbund-ID: HT020410832

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